IRF1902GTRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

85 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Qg - Carica cancello:

7.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

5.6 S

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001561612

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

IRF19, IRF1, IRF