IRF6609TR1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-MT

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

31 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.6 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

46 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

89 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

9.8 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

95 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Parte # Alias:

SP001529252

Unità di peso:

0.035274 oz

Tags

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