TGF2160

TGF2160
Mfr. #:
TGF2160
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2160 Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2160 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
pHEMT
Tecnologia:
GaAs
Guadagno:
10.4 dB
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
12 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 7 V
Id - Corrente di scarico continua:
517 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
5.6 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Confezione di gel
Configurazione:
Dual
Frequenza operativa:
20 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Prodotto:
RF JFET
Tipo:
GaAs pHEMT
Marca:
Qorvo
Transconduttanza diretta - Min:
619 mS
Numero di canali:
2 Channel
P1dB - Punto di compressione:
32.5 dBm
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1098617
Tags
TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 32.5 dBm, 10.4 dB, 8V, DIE
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
TGF2160 1600µm Discrete GaAs pHEMT
Qorvo TGF2160 1600µm Discrete GaAs pHEMT operates from DC to 20GHz and is designed using the Qorvo 0.25µm power pHEMT production process. This process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. Qorvo TGF2160 typically provides 32.5dBm of output power at P1dB with gain of 10.4dB and 63% power-added efficiency at 1dB compression. This performance makes TGF2160 appropriate for high efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2160
DISTI # 772-TGF2160
QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
RoHS: Compliant
0
  • 100:$17.2700
  • 300:$16.1400
  • 500:$15.0900
Immagine Parte # Descrizione
TGF2977-SM

Mfr.#: TGF2977-SM

OMO.#: OMO-TGF2977-SM

RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2023-2-05

Mfr.#: TGF2023-2-05

OMO.#: OMO-TGF2023-2-05

RF JFET Transistors DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
TGF40-07870787-039

Mfr.#: TGF40-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF40-07870787-039

Thermal Interface Products 4W/m-K 200*200*1 TGF40 Purple
TGF10-07870787-039

Mfr.#: TGF10-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF10-07870787-039

Thermal Interface Products 1W/m-K 200*200*1 TGF10 White Gray
TGF50-07870787-039

Mfr.#: TGF50-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-039-LEADER-TECH

Thermal Gap Filler/Grey 6.0W/m-K
TGF2965-SM

Mfr.#: TGF2965-SM

OMO.#: OMO-TGF2965-SM-318

RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
TGF4118

Mfr.#: TGF4118

OMO.#: OMO-TGF4118-1190

Nuovo e originale
TGF35-07870787-039

Mfr.#: TGF35-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF35-07870787-039-LEADER-TECH

Thermal Gap Filler/White Grey 3.5W/m-K
TGF30SF-07870787-020

Mfr.#: TGF30SF-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF30SF-07870787-020-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X0.5MM
TGFSB

Mfr.#: TGFSB

OMO.#: OMO-TGFSB-PANDUIT

TG FIBER SPOOL BRACKET
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17,27 USD
1 727,00 USD
300
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500
15,09 USD
7 545,00 USD
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