TGF2977-SM

TGF2977-SM
Mfr. #:
TGF2977-SM
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2977-SM Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2977-SM maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
13 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
32 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 2.7 V
Id - Corrente di scarico continua:
326 mA
Potenza di uscita:
6 W
Temperatura massima di esercizio:
+ 225 C
Pd - Dissipazione di potenza:
8.4 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
QFN-16
Confezione:
Vassoio
Configurazione:
Separare
Altezza:
0.203 mm
Lunghezza:
3 mm
Frequenza operativa:
DC to 12 GHz
Tipo:
GaN SiC HEMT
Larghezza:
3 mm
Marca:
Qorvo
Numero di canali:
1 Channel
Kit di sviluppo:
TGF2977-SMEVB1
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1127257
Unità di peso:
0.002014 oz
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC - 12 GHz, 5 W, 13 dB, 32V, GaN, Plastic QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2977-SM
DISTI # 772-TGF2977-SM
QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
RoHS: Compliant
266
  • 1:$24.1500
  • 25:$20.8900
  • 100:$18.0700
  • 250:$16.8000
  • 500:$15.6200
TGF2977-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2977-SM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
Immagine Parte # Descrizione
GRF2013

Mfr.#: GRF2013

OMO.#: OMO-GRF2013

RF Amplifier .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB
VEC2315-TL-H

Mfr.#: VEC2315-TL-H

OMO.#: OMO-VEC2315-TL-H

MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
TPS62172DSGR

Mfr.#: TPS62172DSGR

OMO.#: OMO-TPS62172DSGR

Switching Voltage Regulators 3-17V 0.5A 2.5MHZ SD Converter
ST8R00WPUR

Mfr.#: ST8R00WPUR

OMO.#: OMO-ST8R00WPUR

Switching Voltage Regulators MicroPwr 1A DC DC converter sync
LT3045EMSE#PBF

Mfr.#: LT3045EMSE#PBF

OMO.#: OMO-LT3045EMSE-PBF

LDO Voltage Regulators 20V, 500mA, Ultralow Noise, Ultrahigh PSRR Linear Regulator
TPS7A8801RTJR

Mfr.#: TPS7A8801RTJR

OMO.#: OMO-TPS7A8801RTJR

LDO Voltage Regulators Dual 1A LDO
GRF2013

Mfr.#: GRF2013

OMO.#: OMO-GRF2013-1152

RF Amplifier .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB
TPS7A8801RTJR

Mfr.#: TPS7A8801RTJR

OMO.#: OMO-TPS7A8801RTJR-TEXAS-INSTRUMENTS

LDO Voltage Regulators Dual 1A LDO
C3216JB1V226M160AC

Mfr.#: C3216JB1V226M160AC

OMO.#: OMO-C3216JB1V226M160AC-TDK

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 22uF 35volts JB 20%
TPS62172DSGR

Mfr.#: TPS62172DSGR

OMO.#: OMO-TPS62172DSGR-TEXAS-INSTRUMENTS

Voltage Regulators - Switching Regulators 3-17V 0.5A 2.5MHZ SD Converte
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
24,15 USD
24,15 USD
25
20,89 USD
522,25 USD
100
18,07 USD
1 807,00 USD
250
16,80 USD
4 200,00 USD
500
15,62 USD
7 810,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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