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IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G
Mfr. #:
IPI034NE7N3 G
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPI034NE7N3 G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-262-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
75 V
Id - Corrente di scarico continua:
100 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
3.4 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
88 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
214 W
Configurazione:
Separare
Nome depositato:
OptiMOS
Confezione:
Tubo
Altezza:
9.45 mm
Lunghezza:
10.2 mm
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.5 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tempo di caduta:
10 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
85 nS
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
40 nS
Parte # Alias:
IPI034NE7N3GAKSA1 SP000641734
Unità di peso:
0.084199 oz
Tags
IPI034NE7N3G, IPI034, IPI03, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***
N-Channel 75 V 1A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPI034NE7N3 G
DISTI # IPI034NE7N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI034NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant    		7459
    • 1000:$1.2700
    • 500:$1.3300
    • 100:$1.3900
    • 25:$1.4500
    • 1:$1.5600
    IPI034NE7N3GAKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
    RoHS: Compliant    		498
    • 1:$0.0200
    • 25:$0.0200
    • 100:$0.0200
    • 500:$0.0200
    • 1000:$0.0200
    IPI034NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI034NE7N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      Immagine Parte # Descrizione
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G

      		 MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI034NE7N3GAKSA1

      Mfr.#: IPI034NE7N3GAKSA1

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GAKSA1-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3

      Mfr.#: IPI034NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-1190

      		 Nuovo e originale
      IPI034NE7N3G

      Mfr.#: IPI034NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI034NE7N3G(034NE7N)

      Mfr.#: IPI034NE7N3G(034NE7N)

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3G-034NE7N--1190

      		 Nuovo e originale
      IPI034NE7N3GS

      Mfr.#: IPI034NE7N3GS

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3GS-1190

      		 Nuovo e originale
      IPI034NE7N3 G

      Mfr.#: IPI034NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI034NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
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      Azione:
      Available
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      3500
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