IMB3AT110

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

4.7 kOhms

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-74-6

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IMB3A

Confezione:

Bobina

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

IMB3A

Tags

IMB3AT, IMB3A, IMB3, IMB