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SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3
Mfr. #:
SIHG33N65E-GE3
Produttore:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SIHG33N65E-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHG33N65E-GE3 DatasheetSIHG33N65E-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHG33N65E-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SIHG33N65E-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Vishay
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-247AC-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
650 V
Id - Corrente di scarico continua:
31.6 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
95 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
4 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
30 V
Qg - Carica cancello:
114 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
313 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Bobina
Serie:
EF
Marca:
Vishay / Siliconix
Tempo di caduta:
71 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
56 ns
Quantità confezione di fabbrica:
25
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
105 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
32 ns
Tags
SIHG33, SIHG3, SIHG, SIH
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
***et
Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
***ark
Mosfet, N-Ch, 650V, 32.4A, To-247Ac-3; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:32.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.09Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:313W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:E-Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited
***nell
MOSFET, CA-N, 650V, 32.4A, TO-247AC-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:32.4A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.09ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:4V; Dissipazione di Potenza Pd:313W; Modello Case Transistor:TO-247AC; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:E-Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata
EF Series High Voltage Power MOSFETs
Vishay / Siliconix EF Series High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SIHG33N65E-GE3
DISTI # V36:1790_14664699		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC0
  • 500000:$3.7410
  • 250000:$3.7460
  • 50000:$4.3670
  • 5000:$5.6300
  • 500:$5.8500
SIHG33N65E-GE3
DISTI # SIHG33N65E-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		868In Stock
  • 2500:$3.7456
  • 500:$4.4659
  • 100:$5.1285
  • 25:$5.9064
  • 10:$6.1950
  • 1:$6.8600
SIHG33N65E-GE3
DISTI # SIHG33N65E-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC (Alt: SIHG33N65E-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 50
  • 1000:€3.3900
  • 100:€3.4900
  • 500:€3.4900
  • 50:€3.5900
  • 25:€3.9900
  • 10:€4.8900
  • 1:€6.1900
SIHG33N65E-GE3
DISTI # SIHG33N65E-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin TO-247AC - Tape and Reel (Alt: SIHG33N65E-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 500
Container: Reel		Americas - 0
  • 5000:$3.4900
  • 3000:$3.5900
  • 2000:$3.6900
  • 1000:$3.7900
  • 500:$3.8900
SIHG33N65E-GE3
DISTI # 78-SIHG33N65E-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
RoHS: Compliant		0
  • 1:$6.8600
  • 10:$6.1700
  • 25:$5.6200
  • 100:$5.0700
  • 250:$4.6600
  • 500:$4.2500
  • 1000:$3.7000
SIHG33N65EGE3Vishay IntertechnologiesPower Field-Effect Transistor, 32.4A I(D), 650V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
RoHS: Compliant		500
    SIHG33N65E-GE3
    DISTI # 2576519    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-36
    • 100:£3.8800
    • 50:£4.0900
    • 10:£4.3000
    • 5:£5.2300
    • 1:£5.7400
    SIHG33N65E-GE3
    DISTI # 2576519    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 650V, 32.4A, TO-247AC-3
    RoHS: Compliant    		6
    • 100:$9.0700
    • 10:$11.0300
    • 1:$12.2500
    Immagine Parte # Descrizione
    SIHG33N65EF-GE3

    Mfr.#: SIHG33N65EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N65EF-GE3

    		 MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
    SIHG33N60EF-GE3

    Mfr.#: SIHG33N60EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N60EF-GE3

    		 MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    SIHG33N60E-GE3

    Mfr.#: SIHG33N60E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N60E-GE3-VISHAY

    		 Darlington Transistors MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
    SIHG33N60EF-GE3

    Mfr.#: SIHG33N60EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N60EF-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 600V 98mOhms@10V 33A N-Ch MOSFET
    SIHG33N60E-E3

    Mfr.#: SIHG33N60E-E3

    OMO.#: OMO-SIHG33N60E-E3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    SIHG33N65EF-GE3

    Mfr.#: SIHG33N65EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N65EF-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
    SIHG33N60E

    Mfr.#: SIHG33N60E

    OMO.#: OMO-SIHG33N60E-1190

    		 Nuovo e originale
    SIHG33N60E-G3

    Mfr.#: SIHG33N60E-G3

    OMO.#: OMO-SIHG33N60E-G3-1190

    		 Nuovo e originale
    SIHG33N60E-GE3,SIHG33N60

    Mfr.#: SIHG33N60E-GE3,SIHG33N60

    OMO.#: OMO-SIHG33N60E-GE3-SIHG33N60-1190

    		 Nuovo e originale
    SIHG33N65E-GE3

    Mfr.#: SIHG33N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG33N65E-GE3-VISHAY

    		 Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    4000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di SIHG33N65E-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    6,86 USD
    6,86 USD
    10
    6,17 USD
    61,70 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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