BSM75GAR120DN2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

IS4 (34 mm )-5

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

100 A

Pd - Dissipazione di potenza:

625 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

30.5 mm

Lunghezza:

94 mm

Larghezza:

34 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

105 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462

Unità di peso:

5.436423 oz

Tags

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