BSM75GAL120DN2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

mezzo ponte

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

105 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

625 W

Pacchetto/custodia:

Half Bridge GAL 1

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

30.5 mm

Lunghezza:

94 mm

Larghezza:

34 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

BSM75GAL120DN2HOSA1 SP000106455

Tags

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