IRFHS8342TR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.9 ns

Parte # Alias:

SP001575842

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

IRFHS83, IRFHS8, IRFHS, IRFH, IRF