IPA083N10N5XKSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

36 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.15 mm

Lunghezza:

10.65 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.85 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

38 S

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

IPA083N10N5 SP001226038

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IPA08, IPA0, IPA