DMN3012LDG-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-B

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms, 6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6.1 nC, 12.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

27 S, 46 S

Tempo di caduta:

2.3 ns, 2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.7 ns, 3.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.4 ns, 12.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.1 ns, 4.4 ns

Unità di peso:

0.001552 oz

Tags

DMN3012, DMN301, DMN30, DMN3, DMN