DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13
Mfr. #:
DMTH6004LPS-13
Produttore:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
DMTH6004LPS-13 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
DMTH6004LPS-13 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Diodi incorporati
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
PowerDI5060-8
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
60 V
Id - Corrente di scarico continua:
22 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
3.1 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
96.3 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
2.6 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Bobina
Serie:
DMTH6004
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Diodi incorporati
Tempo di caduta:
32.9 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
17.7 ns
Quantità confezione di fabbrica:
2500
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
53.5 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
9.9 ns
Unità di peso:
0.003386 oz
Tags
DMTH6004, DMTH600, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 8-Pin PowerDI EP T/R
***et
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
***ronik
N-CH 60V 100A 3,1mOhm PwDI5060
***ark
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 100A, 60V; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.0025Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
DMTx MOSFETs
Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.
Gate Drivers
Diodes Incorporated Gate Drivers cover a multitude of applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.
DMTH6004 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Diodes Inc. DMTH6004 N-channel Enhance mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. DMTH MOSFETs provide BVDSS voltage of 60V and are rated to 175ºC. These MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications. Applications include a primary switch in isolated DC-DC, synchronous rectifier, and load switch.Learn more
Immagine Parte # Descrizione
SI8622BB-B-IS

Mfr.#: SI8622BB-B-IS

OMO.#: OMO-SI8622BB-B-IS

Digital Isolators 2.5 kV 1 forward & 1 reverse 2-channel isolator
RSX051VYM30FHTR

Mfr.#: RSX051VYM30FHTR

OMO.#: OMO-RSX051VYM30FHTR

Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 0.5A Io SBD SOD-323HE 0.5A
RP104N181B-TR-FE

Mfr.#: RP104N181B-TR-FE

OMO.#: OMO-RP104N181B-TR-FE

LDO Voltage Regulators Low Supply Current 150mA Voltage Regulator (LDO Regulator)
0679H3500-01

Mfr.#: 0679H3500-01

OMO.#: OMO-0679H3500-01

Surface Mount Fuses 3.5A 350 VAC 72 VCD
DSC1123DL1-125.0000

Mfr.#: DSC1123DL1-125.0000

OMO.#: OMO-DSC1123DL1-125-0000-MICROCHIP-TECHNOLOGY

Oscillator MEMS 125MHz ±50ppm (Stability) 15pF LVDS 52% 2.5V/3.3V 6-Pin QFN SMD Tube
SI8622BB-B-IS

Mfr.#: SI8622BB-B-IS

OMO.#: OMO-SI8622BB-B-IS-SILICON-LABS

DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PUR 8SOIC
LTR10EZPF1200

Mfr.#: LTR10EZPF1200

OMO.#: OMO-LTR10EZPF1200-ROHM-SEMI

RES SMD 120 OHM 1/4W 0805 WIDE
M50-3630242

Mfr.#: M50-3630242

OMO.#: OMO-M50-3630242-HARWIN

CONN HEADER SMD 2POS 1.27MM
0679H3500-01

Mfr.#: 0679H3500-01

OMO.#: OMO-0679H3500-01-BEL

Surface Mount Fuses 3.5A 350 VAC 72 VCD
RN112-0.4-02-39M

Mfr.#: RN112-0.4-02-39M

OMO.#: OMO-RN112-0-4-02-39M-SCHAFFNER-EMC

Common Mode Chokes Dual 39mH 10kHz 400mA 1.5Ohm DCR Thru-Hole
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1985
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
1,55 USD
1,55 USD
10
1,31 USD
13,10 USD
100
1,05 USD
105,00 USD
500
0,92 USD
459,00 USD
1000
0,76 USD
760,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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