GA10SICP12-247

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore GeneSiC

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

55 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

GA10SICP12

Marca:

Semiconduttore GeneSiC

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1