NSS35200CF8T1G

NSS35200CF8T1G
Mfr. #:
NSS35200CF8T1G
Produttore:
ON Semiconductor
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
NSS35200CF8T1G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NSS35200CF8T1G DatasheetNSS35200CF8T1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
1206A
Polarità del transistor:
PNP
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
- 35 V
Collettore-tensione di base VCBO:
- 55 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
- 0.3 V
Corrente massima del collettore CC:
2 A
Guadagno larghezza di banda prodotto fT:
100 MHz
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
NSS35200CF8T1G
Altezza:
1.05 mm
Lunghezza:
3.05 mm
Confezione:
Bobina
Larghezza:
1.65 mm
Marca:
ON Semiconductor
Corrente continua del collettore:
- 2 A
Pd - Dissipazione di potenza:
635 mW
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
transistor
Tags
NSS35200C, NSS35, NSS3, NSS
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
NSS35200CF8T1G
DISTI # 32865972
ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 8-Pin Chip FET T/R
RoHS: Compliant
6000
  • 6000:$0.1763
NSS35200CF8T1G
DISTI # NSS35200CF8T1GOSTR-ND
ON SemiconductorTRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.1696
NSS35200CF8T1G
DISTI # V36:1790_07296095
ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 8-Pin Chip FET T/R
RoHS: Compliant
0
    NSS35200CF8T1G
    DISTI # NSS35200CF8T1G
    ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: NSS35200CF8T1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 6000
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 60000:$0.1279
    • 30000:$0.1309
    • 18000:$0.1329
    • 12000:$0.1349
    • 6000:$0.1359
    NSS35200CF8T1G
    DISTI # NSS35200CF8T1G
    ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 8-Pin Chip FET T/R - Bulk (Alt: NSS35200CF8T1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2084
    Container: Bulk
    Americas - 0
    • 20840:$0.1479
    • 10420:$0.1509
    • 6252:$0.1529
    • 4168:$0.1549
    • 2084:$0.1559
    NSS35200CF8T1G
    DISTI # 863-NSS35200CF8T1G
    ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
    RoHS: Compliant
    0
    • 3000:$0.1520
    • 9000:$0.1410
    • 24000:$0.1340
    • 45000:$0.1310
    NSS35200CF8T1GON SemiconductorSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
    RoHS: Compliant
    342897
    • 1000:$0.1600
    • 100:$0.1700
    • 500:$0.1700
    • 25:$0.1800
    • 1:$0.1900
    NSS35200CF8T1GSANYO Semiconductor Co LtdSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
    RoHS: Compliant
    15000
    • 1000:$0.1600
    • 100:$0.1700
    • 500:$0.1700
    • 25:$0.1800
    • 1:$0.1900
    NSS35200CF8T1GON Semiconductor 1585
      NSS35200CF8T1GON Semiconductor35V, 7A, Low VCE(sat) PNP Transistor1250
      • 1:$0.2700
      • 100:$0.2100
      • 500:$0.1900
      • 1000:$0.1800
      Immagine Parte # Descrizione
      NSS35200MR6T1G

      Mfr.#: NSS35200MR6T1G

      OMO.#: OMO-NSS35200MR6T1G

      Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
      NSS35200CF8T1G

      Mfr.#: NSS35200CF8T1G

      OMO.#: OMO-NSS35200CF8T1G

      Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
      NSS35200CF8T1

      Mfr.#: NSS35200CF8T1

      OMO.#: OMO-NSS35200CF8T1-1190

      Nuovo e originale
      NSS35200CF8T1G

      Mfr.#: NSS35200CF8T1G

      OMO.#: OMO-NSS35200CF8T1G-ON-SEMICONDUCTOR

      Nuovo e originale
      NSS35200MR6T

      Mfr.#: NSS35200MR6T

      OMO.#: OMO-NSS35200MR6T-1190

      Nuovo e originale
      NSS35200MR6T16

      Mfr.#: NSS35200MR6T16

      OMO.#: OMO-NSS35200MR6T16-1190

      Nuovo e originale
      NSS35200MR6T1G

      Mfr.#: NSS35200MR6T1G

      OMO.#: OMO-NSS35200MR6T1G-ON-SEMICONDUCTOR

      Nuovo e originale
      NSS35200CF8TIG

      Mfr.#: NSS35200CF8TIG

      OMO.#: OMO-NSS35200CF8TIG-1190

      35V PNP LOW VCE(SAT)
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      4000
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di NSS35200CF8T1G è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Iniziare con
      Top