DMN26D0UDJ-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-963-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

240 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

Driver del cancello MOSFET

Serie:

DMN26

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET in modalità di potenziamento a doppio canale N

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

180 mS

Tempo di caduta:

15.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Tags

DMN26D0, DMN26D, DMN26, DMN2, DMN