DMN3042L-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

26.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

13.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.4 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

DMN3042

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

4.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DMN304, DMN30, DMN3, DMN