DMN601DWKQ-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

304 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 ms

Tempo di caduta:

9.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.9 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

DMN601DW, DMN601D, DMN601, DMN60, DMN6, DMN