IMT17T208

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 0.6 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.6 V

Corrente massima del collettore CC:

- 500 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

390

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Tags

IMT17T, IMT17, IMT1, IMT