IMT1AT110

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

- 150 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

IMT1A

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