SSM3K15ACT,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CST3-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.38 mm

Lunghezza:

1 mm

Serie:

SSM3K15

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.6 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.5 ns

Unità di peso:

0.000026 oz

Tags

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