2SA608NG-NPA-AT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V, 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V, 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.3 V, 0.3 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 150 mA, 150 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

2SA608N, 2SA608, 2SA60, 2SA6, 2SA