NTJS3151PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-88-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

133 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTJS3151P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Tempo di caduta:

1.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

3.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

0.86 ns

Tags

NTJS3151PT1, NTJS3151PT, NTJS3151P, NTJS3151, NTJS3, NTJS, NTJ