MRF1535FNT1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

700 mOhms

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-272-6

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Sorgente quadrupla singola

Altezza:

2.69 mm

Lunghezza:

23.72 mm

Serie:

MRF1535N

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

6.45 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

135 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Parte # Alias:

935310275528

Unità di peso:

0.045124 oz

Tags

MRF153, MRF15, MRF1, MRF