BD788G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-225-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BD788

Altezza:

11.04 mm

Lunghezza:

7.74 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.66 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

15000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.022928 oz

Tags

BD788, BD78, BD7