IPI530N15N3GXKSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

21 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

44 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

11 S

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

G IPI530N15N3 SP000807642

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

IPI53, IPI5, IPI