RQ3E120BNTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

12 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

29 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

RQ3E120BN

Unità di peso:

0.196723 oz

Tags

RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3