2N4856A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

40 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

50 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 Ohms

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N4856

Confezione:

Massa

Tipo:

JFET

Marca:

Semiconduttore centrale

Tensione di interruzione gate-source:

4 V

Tensione massima della porta di drenaggio:

40 V

Quantità confezione di fabbrica:

2000

Parte # Alias:

2N4856A

Unità di peso:

0.010582 oz

Tags

2N4856, 2N485, 2N48, 2N4