NPTB00004A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN Si

Guadagno:

16 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Pd - Dissipazione di potenza:

11.6 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

6 GHz

Marca:

MACOM

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 Ohms

Quantità confezione di fabbrica:

95

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1.6 V

Unità di peso:

0.007760 oz

Tags

NPTB0000, NPTB, NPT