IXXH80N65B4D1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di alimentazione a diodi

Tipo:

GenX4

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

53 ns

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Pd - Dissipazione di potenza:

625 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Ora di alzarsi:

100 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

XPT

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

112 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Tags

IXXH80N65B4D, IXXH8, IXXH, IXX