DMG4N65CTI

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

13.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

8.35 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

DMG4N65

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15.1 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

DMG4N, DMG4, DMG