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IPD85P04P407ATMA1

IPD85P04P407ATMA1
Mfr. #:
IPD85P04P407ATMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH TO252-3
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPD85P04P407ATMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Tecnologie Infineon
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
XPD85P04
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
IPD85P04P4-07 IPD85P04P407XT SP000842066
Unità di peso
0.139332 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TO-252-3
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 P-Channel
Pd-Power-Dissipazione
88 W
Massima temperatura di esercizio
+ 175 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
39 ns
Ora di alzarsi
15 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
+/- 20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
- 85 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 40 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
5.3 mOhms
Polarità del transistor
Canale P
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
34 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
24 ns
Qg-Gate-Carica
69 nC
Transconduttanza diretta-Min
-
Modalità canale
Aumento
Tags
IPD85, IPD8, IPD
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single P-Channel 40 V 73 mOhm 89 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3
***ical
Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) TO-252
***i-Key
MOSFET N-CH TO252-3
***ark
Mosfet, Aec-Q101, P-Ch, -40V, To-252; Transistor Polarity:p Channel; Continuous Drain Current Id:-85A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(On):0.0073Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-85A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:88W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:OptiMOS P2 Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, AEC-Q101, CA-P, -40V, TO-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua di Drain Id:-85A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.0073ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):-10V; Tensione di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione di Potenza Pd:88W; Modello Case Transistor:TO-252; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:OptiMOS P2 Series; Standard di Qualifica Automotive:AEC-Q101; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
***ineon
Summary of Features: P-channel - Normal Level - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: No charge pump required for high side drive.; Simple interface drive circuit; World's lowest RDSon at 40V; Highest current capability; Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Standard packages TO-252, TO-263, TO-220, TO-262 | Target Applications: High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors); Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPD85P04P407ATMA1
DISTI # V72:2272_06384467		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
RoHS: Compliant		2943
  • 250:$0.7055
  • 100:$0.7130
  • 25:$0.8926
  • 10:$0.9030
  • 1:$1.0287
IPD85P04P407ATMA1
DISTI # IPD85P04P407ATMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH TO252-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5787
IPD85P04P407ATMA1
DISTI # 31035300		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
RoHS: Compliant		443
  • 250:$0.7055
  • 100:$0.7130
  • 25:$0.8926
  • 13:$0.9030
IPD85P04P407ATMA1
DISTI # IPD85P04P407ATMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD85P04P407ATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.5409
  • 5000:$0.5209
  • 10000:$0.5029
  • 15000:$0.4859
  • 25000:$0.4769
IPD85P04P407ATMA1
DISTI # IPD85P04P4-07		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) TO-252 (Alt: IPD85P04P4-07)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500		Asia - 0
    IPD85P04P407ATMA1
    DISTI # 13AC9052    		Infineon Technologies AGMOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, TO-252,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-85A,Drain Source Voltage Vds:-40V,On Resistance Rds(on):0.0073ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V,Threshold Voltage Vgs:-3V,Power RoHS Compliant: Yes2054
    • 1:$1.2400
    • 10:$1.0600
    • 25:$0.9760
    • 50:$0.8920
    • 100:$0.8080
    • 250:$0.7620
    • 500:$0.7150
    • 1000:$0.5640
    IPD85P04P4-07
    DISTI # 726-IPD85P04P4-07    		Infineon Technologies AGMOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    RoHS: Compliant    		3473
    • 1:$1.2400
    • 10:$1.0600
    • 100:$0.8080
    • 500:$0.7150
    • 1000:$0.5640
    • 2500:$0.5000
    IPD85P04P407ATMA1
    DISTI # 726-IPD85P04P407ATMA    		Infineon Technologies AGMOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    RoHS: Compliant    		2082
    • 1:$1.2400
    • 10:$1.0600
    • 100:$0.8080
    • 500:$0.7150
    • 1000:$0.5640
    • 2500:$0.5000
    IPD85P04P407ATMA1
    DISTI # 2725851    		Infineon Technologies AGMOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, TO-252
    RoHS: Compliant    		2234
    • 5:£0.9080
    • 25:£0.8180
    • 100:£0.6230
    • 250:£0.5880
    • 500:£0.5520
    IPD85P04P407ATMA1
    DISTI # C1S322000306745    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    RoHS: Compliant    		443
    • 250:$0.7055
    • 100:$0.7130
    • 25:$0.8928
    • 10:$0.9030
    IPD85P04P407ATMA1
    DISTI # 2725851    		Infineon Technologies AGMOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, TO-252
    RoHS: Compliant    		2054
    • 5:$1.7600
    • 25:$1.5400
    • 100:$1.2500
    • 250:$1.0600
    • 500:$0.9160
    • 1000:$0.8660
    • 5000:$0.8210
    Immagine Parte # Descrizione
    IPD85P04P4-07

    Mfr.#: IPD85P04P4-07

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4-07

    		 MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    IPD85P04P407ATMA1

    Mfr.#: IPD85P04P407ATMA1

    OMO.#: OMO-IPD85P04P407ATMA1

    		 MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    IPD85P04P4L-06

    Mfr.#: IPD85P04P4L-06

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4L-06

    		 MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    IPD85P04P4L06ATMA1

    Mfr.#: IPD85P04P4L06ATMA1

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4L06ATMA1

    		 MOSFET P-CHANNEL
    IPD85P04P407ATMA1

    Mfr.#: IPD85P04P407ATMA1

    OMO.#: OMO-IPD85P04P407ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH TO252-3
    IPD85P04P4L06ATMA1

    Mfr.#: IPD85P04P4L06ATMA1

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4L06ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH TO252-3
    IPD85P04P4L-06

    Mfr.#: IPD85P04P4L-06

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4L-06-317

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    IPD85P04P4-07

    Mfr.#: IPD85P04P4-07

    OMO.#: OMO-IPD85P04P4-07-317

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    3500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di IPD85P04P407ATMA1 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,72 USD
    0,72 USD
    10
    0,68 USD
    6,80 USD
    100
    0,64 USD
    64,38 USD
    500
    0,61 USD
    304,00 USD
    1000
    0,57 USD
    572,30 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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