BSP603S2L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

16 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.8 ns

Parte # Alias:

BSP603S2LHUMA1 BSP63S2LXT SP000431792

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

BSP603S2L, BSP603S, BSP603, BSP60, BSP6, BSP