NTZD3152PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

430 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms, 2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

1.8 V

Qg - Carica cancello:

1.7 nC, 1.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

280 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTZD3152P

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1 S, 1 S

Tempo di caduta:

19 ns, 19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns, 12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

NTZD3152PT1, NTZD3152PT, NTZD3152, NTZD3, NTZD, NTZ