NE3210S01-T1B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HFET

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

13.5 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

4 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 3 V

Id - Corrente di scarico continua:

70 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Pd - Dissipazione di potenza:

165 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-1

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

12 GHz

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaAs HFET

Marca:

CEL

Transconduttanza diretta - Min:

55 mS

NF - Figura di rumore:

0.35 dB

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

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