UMH1NTN

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

22 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UMT-6

Guadagno base/collettore DC hfe min:

56

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

UMH1N

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

UMH1N

Tags

UMH1NT, UMH1N, UMH1, UMH