STH130N8F7-2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

H2PAK-2

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

60 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

205 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

STRIPFET

Serie:

STH130N8F7-2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

210 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

190 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

140 ns

Tags

STH130, STH13, STH1, STH