NSS12200WT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 170 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS12200W

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NSS12200, NSS122, NSS12, NSS1, NSS