TK35N65W,S1F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

35 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

68 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

100 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

20.95 mm

Lunghezza:

15.94 mm

Serie:

TK35N65W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.02 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

TK35N, TK35, TK3