FDP047AN08A0-F102

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.7 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

310 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDP047AN08A0

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

FDP047AN08A0_F102

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

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