NTTS2P03R2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Micro-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.48 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

85 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

780 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

3.1 S

Tempo di caduta:

40 ns, 20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

40 ns, 20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns, 40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns, 10 ns

Tags

NTTS2P03, NTTS2P, NTTS2, NTTS, NTT