CGHV14800F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN

Guadagno:

14 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 10 V to 2 V

Id - Corrente di scarico continua:

24 A

Potenza di uscita:

800 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 100 C

Pd - Dissipazione di potenza:

-

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

440117

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 100 C

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

-

Kit di sviluppo:

CGHV14800F-TB

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3.8 V

Tags

CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH