BSC079N03LSC G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

BSC079N03

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

2.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns

Parte # Alias:

BSC079N03LSCGATMA1 BSC79N3LSCGXT SP000527424

Tags

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