375-501N21A-00

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Potenza di uscita:

940 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SMD-6

Confezione:

Tubo

Frequenza operativa:

50 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

6.5 S

Numero di canali:

1 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Qg - Carica cancello:

70 nC

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

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