PHB29N08T,118

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

27 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

96 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

19 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

88 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.5 mm

Lunghezza:

10.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.4 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.5 ns

Parte # Alias:

/T3 PHB29N08T

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

PHB29N08T, PHB29, PHB2, PHB