BCM 856S H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

250 mV

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BCM856

Guadagno di corrente CC hFE Max:

630

Confezione:

Bobina

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BCM856SH6327XT BCM856SH6327XTSA1 SP000747592

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

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