FQPF8N60CYDTU

FQPF8N60CYDTU
Mfr. #:
FQPF8N60CYDTU
Produttore:
ON Semiconductor / Fairchild
Descrizione:
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FQPF8N60CYDTU Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
600 V
Id - Corrente di scarico continua:
7.5 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
1.2 Ohms
Vgs - Tensione Gate-Source:
30 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
48 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Altezza:
16.3 mm
Lunghezza:
10.67 mm
Serie:
FQPF8N60C
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.7 mm
Marca:
ON Semiconductor / Fairchild
Tempo di caduta:
64.5 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
60.5 ns
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
81 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
16.5 ns
Parte # Alias:
FQPF8N60CYDTU_NL
Unità di peso:
0.090478 oz
Tags
FQPF8N60C, FQPF8N60, FQPF8N6, FQPF8N, FQPF8, FQPF, FQP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***Semiconductor
N-Channel QFET® MOSFET 600V, 7.5A, 1.2Ω
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
***ser
MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
***inecomponents.com
N-CH/600V/8A/QFET C-Series
***rchild Semiconductor
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FQPF8N60CYDTU
DISTI # FQPF8N60CYDTU-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube
Limited Supply - Call
    FQPF8N60CYDTU
    DISTI # 512-FQPF8N60CYDTU
    ON SemiconductorMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
    RoHS: Compliant
    0
      FQPF8N60CYDTUFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
      RoHS: Compliant
      1924
      • 1000:$0.9600
      • 500:$1.0100
      • 100:$1.0500
      • 25:$1.1000
      • 1:$1.1800
      Immagine Parte # Descrizione
      FQPF8N80CYDTU

      Mfr.#: FQPF8N80CYDTU

      OMO.#: OMO-FQPF8N80CYDTU

      MOSFET HIGH VOLTAGE
      FQPF8N60CT

      Mfr.#: FQPF8N60CT

      OMO.#: OMO-FQPF8N60CT

      MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
      FQPF8N50

      Mfr.#: FQPF8N50

      OMO.#: OMO-FQPF8N50-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N60C,FQPF8N60CT,8N6

      Mfr.#: FQPF8N60C,FQPF8N60CT,8N6

      OMO.#: OMO-FQPF8N60C-FQPF8N60CT-8N6-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N60CF

      Mfr.#: FQPF8N60CF

      OMO.#: OMO-FQPF8N60CF-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N60L

      Mfr.#: FQPF8N60L

      OMO.#: OMO-FQPF8N60L-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N80

      Mfr.#: FQPF8N80

      OMO.#: OMO-FQPF8N80-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N80C

      Mfr.#: FQPF8N80C

      OMO.#: OMO-FQPF8N80C-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
      FQPF8N90CT

      Mfr.#: FQPF8N90CT

      OMO.#: OMO-FQPF8N90CT-1190

      Nuovo e originale
      FQPF8N60CFT

      Mfr.#: FQPF8N60CFT

      OMO.#: OMO-FQPF8N60CFT-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
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