RT1A050ZPTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSST-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

26 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

RT1A050ZP

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

220 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

95 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

410 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

RT1A050ZP

Tags

RT1A05, RT1A0, RT1A, RT1