TT8M3TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSST-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.5 A, 2.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

140 mOhms, 360 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

3.6 nC, 6.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.7 S, 2.4 S

Tempo di caduta:

17 ns, 45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns, 55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

TT8M3

Tags

TT8M, TT8