CSD86360Q5D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LSON-CLIP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

9.7 nC, 23 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

13 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CSD86360Q5D

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

Driver MOSFET Buck sincrono

Larghezza:

5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

113 S, 169 S

Tempo di caduta:

4.3 ns, 6.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20.4 ns, 14.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14.5 ns, 29.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.4 ns, 9.5 ns

Unità di peso:

0.005997 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD